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详尽分析光敏电阻特性实验,用好光敏电阻

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光学导效用检验器件——光敏电阻的特性检测

实验目地

(1)根据对光敏电阻主要参数的精确测量实验,把握科学研究光敏电阻特性的基础方式。

(2)根据光敏电阻电源电路的基础联接,把握光敏电阻的操作方法。

实验內容

(1)精确测量暗电阻器和没光直射时的光电流特性曲线图。

摩登4团队担保(2)精确测量亮电阻器和一定阳光照射下的光电流特性曲线图。

(3)做出光学特性曲线图,求出阳光照射敏感度。

(4)求出光学导敏感度、电阻器敏感度与比敏感度。

实验基本原理

下面的图所显示为光敏电阻的电路原理图与光敏电阻的标记。由上上述,在匀称的具备导光效用的半导体器件的两边再加上电级,便组成光敏电阻。当光敏电阻的两边再加上适度的偏置电压Ubb(如下图所示的电源电路)后,便有电流量Ip穿过,用电流计能够检验到该电流量。更改照射光敏电阻上的光衡量(如光照强度),发觉穿过光敏电阻的电流量Ip将产生变化,表明光敏电阻的电阻值随光照强度转变。

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光敏电阻特性实验

当入射角子使电子器件由价带跃居到导带时,导带中的电子器件和价带中的空穴均参加导电性,因而电阻器明显减少,氧化还原电位提升。若联接开关电源和输入电阻,就可以輸出电子信号。一般有阳光照射时的光敏电阻的电阻值称之为亮电阻器。这时可得到光学导g与光电流Ip的关系式为g=gL-gd

Ip=IL-Id(2-1)

式中,gL为亮氧化还原电位;gd为暗氧化还原电位;IL为亮电流量;Id为暗电流。

依据半导体材料材料的分类,光敏电阻有几大基础种类:本征型半导体光敏电阻与残渣型半导体光敏电阻。由《光电检测技术》教材内容第二章新中式(2-60)与式(2-61)能够看新宝5得出,本征型半导体光敏电阻的长波限要短于残渣型半导体光敏电阻的长波限。

因而,本征型半导体光敏电阻常见于能见光股票波段的检测,而残渣型半导体光敏电阻常见于红外线股票波段甚至是远红外线股票波段辐射源的检测。

下边详细先容本实验牵涉到的相关特性主要参数。

1.敏感度

除开常见的电流量敏感度S1与工作电压敏感度SV,之外,光敏电阻也有下述好多个敏感度。

(1)光学导敏感度Sg

光敏电阻的光学导g与键入光照强度E比例,即是光学导敏感度。

式中,A为感光总面积;Φ为出射的扩散系数。由欧姆定律,电流量I与工作电压U的关联为I=gU,将式(2-2)中g=SgE带入得

I=SgEU(2-3)

此即弱阳光照射时的线性相关。

(2)电阻器敏感度SR

暗电阻器Rd与亮电阻器RL之比,称之为电阻器转变倍率。而电阻器敏感度为

在其中△R=Rd-RL。显而易见区别越大越好。

(3)比敏感度SB

比敏感度SB也称積分比敏感度。即企业扩散系数Φ与工作电压U下所造成的光电流IL。

2.光学特性

光敏电阻的光电流IL与键入辐射源扩散系数Φ有下述表达式:

IL=AUΦγ(2-6)

式中,A为感光原材料决策的参量;U为电源电压;γ为0.5~1中间的指数。弱阳光照射时,γ=1,IL与Φ有优良的线性相关,即线形光学导;强光时,γ=0.5,即双曲线性光学导。实验证实,当所施加工作电压一定时,CdS光敏电阻的光学特性曲线图如下图所显示。

光敏电阻特性实验

3.光电流特性(輸出特性)

在一定阳光照射下,光敏电阻的光电流与所施加工作电压关联即是光电流特性。如下图所显示。光敏电阻是一个纯电阻,因而合乎欧姆定律,故曲线图为平行线,具备与一般电阻器类似的光电流特性。图上虚线为容许功能损耗或额定值功能损耗线。应用时,应不使光敏电阻的具体功能损耗超出额定电流。在设计方案输入电阻时,应不使负荷线与额定值功能损耗线交叉。即便 光敏电阻的工作标准电压、电流量操纵在额定值功能损耗线以内。

实验常用实验仪器

(1)交流电可调稳压电源

(2)数字万用表

(3)微安表、毫安表

(4)亮度计

(5)规范灯源

(6)滑触电阻,电阻箱

(7)滤色片

(8)中性化相对密度片

光敏电阻特性检测电源电路

不开启开关电源,将光敏电阻连接下面的图所显示的电源电路中,并联接好检测仪表盘。

光敏电阻特性实验

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